第二章 晶体缺陷

1、空位形成能：在某一空位周围的原子，它们在靠近空位一侧失去了正常的原子作用力，平衡位置向空位存在的地方移动，引起空位周围晶格畸变，系统能量增高，这部分增高的能量叫做空位形成能。

2、空位迁移能：空位运动时所必须的能量。

3、点缺陷：缺陷尺寸在三维方向上都很小，相当于一个原子的大小，是零维缺陷。

4、空位：由于晶体中原子的热震动，在晶体凝固或固体高温下保持的过程中，晶体中都会产生一种稳定的晶体缺陷。

5、肖脱基空位：当某些原子获得足够高的能量时，就可克服周围原子的束缚，离开原来的平衡位置，跑到晶体表面或晶界就可形成肖脱基空位。

6、弗兰克尔空位：离开平衡位置的原子挤入点阵中的间隙位置，此时产生的空位。

7、位错：实际是一个直径只有几个原子间距的细长的管状区域，管外原子规则的排列，管内原子则是混乱的排列，这个有缺陷的管状区就是位错。

8、刃型位错：当位错所产生的晶体外部塑性变形方向与位错线垂直时的位错。

9、螺型位错：位错线t 与位移向量b 平行的位错。

10、位错密度（ =S/V ）：单位体积位错线的总长度。

11、滑移：位错在位错线l 和柏氏向量所组成的平面上的运动。

12、攀移：位错（刃位错）沿滑移面法线方向的运动。

13、交滑移： 当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑 移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。

14、柏氏向量：描述位错特征的一个重要向量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也是位错扫过后晶体相对滑动的量。

15、柯氏气团：在距离位错较近处的溶质原子的浓度高，溶质原子将云集到位错处的附近，把位错包围起来，这种包围位错的溶质原子的云集组态称为柯氏气团。

16、位错交截：包括扭折和割阶，当位错线扫过滑移面，滑移面两侧的晶体错动一个柏氏向量方向的大小。

17、单位位错：把柏氏向量等于单位点阵向量的位错称为单位位错。

18、不全位错：柏氏向量不等于点阵向量整数倍的位错称为不全位错。

19、全位错：把柏氏向量等于点阵向量或其整数倍的位错称为全位错。

20、堆垛层错：在正常堆垛顺序中出现错误。

21、扩展位错：通常指一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错形态。

22、面角位错：由3个不全位错和它们之间的2个层错所构成的复杂的位错组态。

23、应变时效：第一次拉伸后，再立即进行第二次拉伸，拉伸曲线上不出现屈服阶段。但第一次拉伸后的低碳钢试样在室温下放置一段时间后，再进行第二次拉伸，则拉伸曲线上又会出现屈服阶段。不过，再次屈服的强度要高于初次屈服的强度。这个试验现象就称为应变时效。

24、晶格摩擦力（派-纳力）：位错运动时，中心区必须经过一系列能峰和能谷，位错线越过能峰时所克服的阻力就是位错运动的晶格摩擦力。

25、扭折：两位错交截时多出的一段新产生出来位错处于被交界本身位错的原滑移面上时称为扭折。

26、割阶：两位错交截时多出的一段新产生出来位错垂直于被交界本身位错的原滑移面时称为割阶。

27、滑移割阶：当原位错在滑移面上滑移时，可以携带小割阶一起滑移，但分别有各自的滑移面，这种割阶称为滑移割阶。

28、攀移割阶：割阶沿位错滑移方向运动只能在垂直自身滑移面方向上运动，这种割阶称为攀移割阶。

29、位错塞积：在同一滑移面上许多同号位错在障碍物前堆积而形成的一种位错组态。

30、位错塞积群长度：n 个位错排列的长度L 。

31、层错：由于某种原因而使密排面的堆垛次序遭到破坏，使整个一层密排面上的原子发生错排，这种缺陷称为层错。

32、层错能：层错的产生，破坏了次近邻原子间的相互关系，使晶体的能态升高，称为层错能。

33、Frank 不全位错：当fcc 结构中产生内禀或外禀层错时，层错与正常晶体界限处就是Frank 位错。

34、位错反应：在实际晶体中，组态不稳定的位错可以转化为组态稳态的位错，这种位错组态之间的转化称为位错反应。

35、Shockley 位错:在fcc 结构（111）面上，一个全位错分解为2个不全位错，分解的不全位错叫做Shockley 位错。

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