电磁干扰的屏蔽方法~金属屏蔽效率
电磁兼容(EMC)是指“一种器件、设备或系统的性能，它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其他设备产生强烈电磁干扰(IEEE C63.12-1987)。”对于无线收发设备来说，采用非连续频谱可部分实现 EMC 性能，但是很多有关的例子也表明 EMC 并不总是能够做到。例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之间以及蜂窝电话和医疗仪器之间等都具有高频干扰，我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。
金属屏蔽效率
可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性进行评估，其单位是分贝，计算公式为 SEdB=A+R+B
其中 A：吸收损耗(dB) R：反射损耗(dB) B：校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)
一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一，即 SE 等于 20dB；而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一，即 SE 要等于 100dB。
吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗计算式为
AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t
其中 f：频率(MHz) μ：铜的导磁率 σ：铜的导电率 t：屏蔽罩厚度
反射损耗(近场)的大小取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。对于杆状或直线形发射天线而言，
离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的增加而下降，但平面波阻则无变化(恒为 377)。
相反，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加，但当距离超过波长的六分之一时，波阻不再变化，恒定在 377 处。
反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化，因此它不仅取决于波的类型，而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。
近场反射损耗可按下式计算
R(电)dB=321.8-(20×lg r)-(30×lg f)-[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×
lg(μ/σ)]
其中 r：波源与屏蔽之间的距离。
SE 算式最后一项是校正因子 B，其计算公式为
B=20lg[-exp(-2t/σ)]
此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于 10dB 的情况。由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，表示屏蔽效率的下降情况。
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