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[闪存2.1] NAND FLASH特性串烧 | 不了解闪存特性,你能用好闪存产品吗?

[闪存2.1] NAND FLASH特性串烧 | 不了解闪存特性,你能用好闪存产品吗?

前言

为了利用好闪存, 发挥闪存的优势, 以达到更好的性能和使用寿命, 那自然要求了解闪存特性。 闪存作为一种相对较新的存储介质, 有很多特别的特性。


一.闪存的特性

凡是采用Flash Memory的存储设备,可以统称为闪存存储。我们经常谈的固态硬盘(SSD),可以由volatile/non-volatile memory构成,其实固态硬盘的范畴是大于闪存的,只是当前的固态硬盘大多数采用闪存介质,所以很多时候我们默认固态硬盘就是闪存盘。

除了闪存以外,还有其它多种快速存储技术,如DRAM ,NVRAM, MRAM and Spin-Torque(自旋力矩磁阻式随机存取内存), Carbon Nanotube( 碳纳米管 ), Phase Change Memory(相变内存),Memristor ( 忆阻器 )等等。

  1. 如果一个 Block 写过数据了, 这个Block需要先整片擦除,里面的page才能再次写入,