随机存取存储器+半导体+存储器和cpu
目录
一、随机存取存储器（RAM）
（一）静态RAM（SRAM）
1. 静态RAM基本电路
2. 静态RAM基本电路的读操作
3. 静态RAM基本电路的写操作
（二）静态RAM芯片（SRAM）
1. Intel 2114 外特性
2. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读
3. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写
（三）动态RAM芯片（DRAM）
1. 三管 MOS 动态 RAM 基本单元电路
2. 单管 MOS 动态 RAM基本单元电路
二、半导体存储芯片简介
（一）半导体存储芯片的基本结构
1. 存储芯片选线的作用
（二）半导体存储芯片的译码驱动方式
1. 线选法
2. 重合法
三、存储器和CPU
（一）存储器容量的扩展
1. 位扩展（增加存储字长）
2. 字扩展（增加存储器字的数量）
3. 字、位扩展（指既增加存储字的数量，又增加存储字长）
一、随机存取存储器（RAM）
（一）静态RAM（SRAM）
1. 静态RAM基本电路
2. 静态RAM基本电路的读操作
3. 静态RAM基本电路的写操作
（二）静态RAM芯片（SRAM）
1. Intel 2114 外特性
2. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读
3. Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写
（三）动态RAM芯片（DRAM）
1. 三管 MOS 动态 RAM 基本单元电路
2. 单管 MOS 动态 RAM基本单元电路
二、半导体存储芯片简介
（一）半导体存储芯片的基本结构
1. 存储芯片选线的作用
32个位的存储芯片可组成一个
位的存储器
（二）半导体存储芯片的译码驱动方式
1. 线选法
- 特点是用一根字选择线（字线），直接选中一个存储单元的各位（如一个字节）。这种方式结构较简单，但只适于容量不大的存储芯片。
- 如当地址线 A3A2A1A。为 1111 时，则第 15 根字线被选中，对应图中的最后一行位代码便可直接读出或写入。
2. 重合法
只要用 64 根选择线 (X 两个方向32 根），便可选择 32X32 矩阵中的任一位
三、存储器和CPU
（一）存储器容量的扩展
1. 位扩展（增加存储字长）
- 2片1Kx4 位的芯片可组成 1Kx8 位（10根地址线和8根数据线）的存储器
2. 字扩展（增加存储器字的数量）
- 用 2片 1Kx8 位的存储芯片可组成一个2Kx8位（11根地址线和8根数据线）的存储器
3. 字、位扩展（指既增加存储字的数量，又增加存储字长）
- 用 8 片 1Kx4 位的芯片组成 4Kx8位（12根地址线、8根数据线）的存储器
